錫須成因和導(dǎo)致錫須的因素
在本文中我們討論已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的錫須成因和可能導(dǎo)致錫須的各種因素。此外，我們還將分別討論"似是而非的錫須理論","錫須對測試條件的影響"和"防止和減輕錫須的措施。"
通過全面的測試來確定或否定錫須形成的原因，其代價(jià)不菲，而且需要花費(fèi)大量的時(shí)間，對于形成錫須的原因，我把重點(diǎn)放在考察合理的錫須形成原因和促使錫須形成的具體因素。從根本上說，錫須是晶體，錫晶須的形成遵循冶金學(xué)的晶核形成－生長晶體－形成晶格結(jié)構(gòu)的基本物理學(xué)原理，錫晶體結(jié)構(gòu)的晶格錯(cuò)位動力學(xué)及其他關(guān)于晶格缺陷的經(jīng)典理論。因此，對于從錫鍍層（或錫涂層）表面出現(xiàn)的錫須，形成錫須的原因和促使錫須生長的因素，與形成晶核的位置及鍍錫工藝后錫須生長的路徑有密切關(guān)系。但是，由于錫晶須的固有特性，形成晶核和生長晶粒的實(shí)際過程極其復(fù)雜。
在進(jìn)行電鍍時(shí)和在電鍍之后，產(chǎn)生的應(yīng)力會促進(jìn)晶核形成和生長晶體。鍍錫層中的應(yīng)力來源有多個(gè)方面。應(yīng)力中包含在電鍍時(shí)和電鍍后殘存的應(yīng)力，或者是由外界因素引起的應(yīng)力，以及熱效應(yīng)引起的應(yīng)力。
通過全面的測試來確定或否定錫須形成的原因，其代價(jià)不菲，而且需要花費(fèi)大量的時(shí)間，對于形成錫須的原因，我把重點(diǎn)放在考察合理的錫須形成原因和促使錫須形成的具體因素。從根本上說，錫須是晶體，錫晶須的形成遵循冶金學(xué)的晶核形成－生長晶體－形成晶格結(jié)構(gòu)的基本物理學(xué)原理，錫晶體結(jié)構(gòu)的晶格錯(cuò)位動力學(xué)及其他關(guān)于晶格缺陷的經(jīng)典理論。因此，對于從錫鍍層（或錫涂層）表面出現(xiàn)的錫須，形成錫須的原因和促使錫須生長的因素，與形成晶核的位置及鍍錫工藝后錫須生長的路徑有密切關(guān)系。但是，由于錫晶須的固有特性，形成晶核和生長晶粒的實(shí)際過程極其復(fù)雜。
在進(jìn)行電鍍時(shí)和在電鍍之后，產(chǎn)生的應(yīng)力會促進(jìn)晶核形成和生長晶體。鍍錫層中的應(yīng)力來源有多個(gè)方面。應(yīng)力中包含在電鍍時(shí)和電鍍后殘存的應(yīng)力，或者是由外界因素引起的應(yīng)力，以及熱效應(yīng)引起的應(yīng)力。
